Науково-дослідна робота ”Розробка комплексу керованих властивостей багатодолинних напівпровідників та полімеркомпозитних матеріалів для функціонування в екстремальних умовах експлуатації”, керівник д.т.н., проф. П.П. Савчук

     Науково-дослідна робота ”Розробка комплексу керованих властивостей багатодолинних напівпровідників та полімеркомпозитних матеріалів для функціонування в екстремальних умовах експлуатації”, керівник д.т.н., проф. П.П. Савчук, (2017-2019рр.) № д/р 0117U000630

     Наукові проблеми матеріалознавства Обсяг фінансування 209,574 тис. грн. Встановлено експериментальний пошук оптимальних умов радіаційного опромінення для отримання монокристалів напівпровідників n-Si з підвищеною температурною та магнітною чутливістю. Показано, що зі збільшенням потоку електронного опромінення з енергією 12 МеВ магнітна чутливість монокристалів n-Si зростає та суттєво залежить від температури. При температурах T≈170 K для найбільшого потоку опромінення електронами 2·1017 ел./см2 було одержано значне (більше як в 500 разів) зростання коефіцієнта магнітної чутливості по відношенню до неопромінених монокристалів n-Si та більше як в 2 рази коефіцієнта термічної чутливості.

    Досліджено особливості механізмів розсіяння електронів в одновісно деформованих монокристалах германію, легованих домішками сурми та золота. Показано, що при одновісному тискові вздовж кристалографічного напрямку [100] зростає холівська рухливість електронів. Запропонована теоретична модель, яка пояснює таке зростання.

     Була встановлена природа та визначена концентрація основних типів радіаційних дефектів в монокристалах n-Si, опромінених різними потоками електронів з енергією 12 МеВ. На основі вимірювань ефекту Холла та тензо-холл-ефекту було показано, що для досліджуваних монокристалів кремнію при електронному опромінені є досить ефективним утворення нового типу радіаційних дефектів, що належать комплексам VOiP, поряд з добре відомими в літературі на сьогоднішній час комплексами VOi, що належать «традиційним» Ацентрам.

    Встановлено, що утворення в монокристалах n-Si при електронному опроміненні електрично активних дефектів, що належать комплексам VOiP та CiOi, дозволило в широкому температурному інтервалі підвищити фоточутливість даних монокристалів. Показано, обробка епоксидних композицій в магнітному полі є ефективною у випадку використання наповнювачів феро- або парамагнітної природи. В даному випадку відбувається орієнтація макромолекул реактопласту відносно частинок наповнювача внаслідок взаємодії диполів полімеру з магнітним полем, що забезпечує формування в композиті орієнтованих шарів в’яжучого з підвищеною адгезійною міцністю. Експериментально доведено, що використання високоенергетичного електронного пучка дозволяє в широких межах керувати границею міцності на стиск епоксиполімерів. І для дози опромінення 10 кГр даний параметр, особливо для матеріалу без термічної обробки, зростає майже у 3 рази.

    Тексти наукових статей, тез доповідей на наукових конференціях та описи отриманих патентів